-Memorias Ram
-Memorias Rom
Dentro de las memorias electronicas existen las memorias estaticas(SRAM), las cuales su celula de memoria esta basada en un biestable y tambien estan las memorias dinamicas(DRAM) en las que la celula de memoria es un pequeño condensador cuya carga representa la información almacenada.
Las memorias dinamicas necesitan circuitos adicionales de refresco ya que los condensadores tienen muy poca capacidad y atravez de las fugas la informacion puede perderse. Tambien son de lectura destructiva.
Son memorias donde solo se puede leer y pueden ser:
-ROM.- Son programadas por mascaras, cuya información se graba en fabrica y no se puede modificar.
-PROM o ROM.- Es programable una sola vez.
-EPROM(Erasable PROM) o RPROM(Reprogramable PROM).-Su contenido puede borrarse mediante rayo ultravioleta para reprogramarlas.
-EAROM(Electrically Alterable ROM) o EEROM(Electrically erasable ROM).- Son memorias que estan en la frontera entre las RAM y las ROM ya que su informacion puede borrarse por medios electricos, se diferencian de las RAM en que no son volátiles. En ocasiones a este tipo de memorias tambien se las denomina NYRAM(no volátil RAM).
- FLASH.- llamada asi por la velocidad en que puede reprogramarse, utilizan tecnológia de borrado eléctrico al igual que las EEPROM. Las memorias flash pueden borrarse enteras en unos cuantos segundos.
Las memoria ROM se basan en una matriz de diodos cuya union se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensión(comprendida entre -12.5 y -40v.). De fábrica la memoria sale con 1's en todas sus posiciones, para grabarlas se rompn las uniones en que se quieren poner 0's. A esta manera de realizar lagrabación se denomina Técnica de los fusibles.
La estructura de un CI-ROM esta integrado por 3 partes basicas:
-Decodificador de Renglones
-Arreglo de Registros
-Buffer de Salida
El código de dirección aplicado A3, A2, A1, A0, determina que registro será habilitado para colocar su palabra de datos en 8 bits en el canal. Los bits de dirección A1,A0, se alimentan de un decodificador uno de 4 que activa una linea de selección de renglon, y los bits de dirección A3, A2, se alimentan de un segundo decodificador uno de 4 que activa una linea de selección de columna. Solamente un registro estará en el renglón y la columna seleccionados por las entradas de difracción, y estará habilitado.
Aqui el areglo de registros almacena los datos que han sido programados en la ROM.Cada registro contiene un numero de celdas de memoria que es igual al tamaño de la palabra, es decir, cada registro almacena una palabra de 8 bits.Estos registros disponen de un array de matris cuadrada. Se puede especificar la posicion de cada registro como una ubicada en un renglon y una columna especificos.
Las 8 salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos interno que corre atraves de todo el circuito. Cada uno de estos esta compuestos de 2 entradas de habilitación; ambas tienen que ser altas a fin de que los cuadros del registro sean colocados en el canal.
Buffer de Salida
El registo habilitado por las entradas de selección coloca el dato que tiene sobre el canal de datos. Los datos entrarán en los buffers de salida los cuales se encargan de transmitirlos hacia las salidas externas siempre y cuando el segmento de codigo(CS) este bajo. Si CS esta en alto, los buffers de salida se encuentran en el estado de impedancia, con lo que D7 hasta D0 estaran flotando.
Arquitectura de la Memoria RAM
La Memoria Ram tiene varios registros los cuales solamente almacena una sola palabra de datpos y tiene una dirección unica. Las rams vienen con distintos capacidades de tamaños de palabra los cuales son los siguientes: 1k, 4k, 8k, 16k, 64k, 128k, 256k, y 1024k, y tamaños de palabra de 1,4 u 8 bits.
La memoria ram se divide en 3 partes basicas:
-Operación de Lectura
-Operación de Escritura
-Terminales Comunes de Entrada/Salida
Operación de Lectura
El código de dirección selecciona un registro del circuito de memoria para leer o escribir. A fin de leer el contenido de registro seleccionado, la entrada lectura/escritura (R/-W)* debe ser un 1. además, la entrada (CS) selección de CI debe ser activada (un 0 de este caso). La combinación de R/-W es igual a 1 y CS es igual a 0 habilita los buffers de salida de manera que el contenido de registro seleccionado aparecerá en las cuatro salidas de datos. R/-W igual a 1 también deshabilita los buffers de entrada de manera que las entradas de datos no afecten la memoria durante la operación de lectura.
Operación de Escritura
Para escribir una nueva palabra de cuatro bits en el registro seleccionado se requiere que R/-W igual a 0 y CS igual 0. esta combinación habilita los buffers de entrada de manera que la palabra de cuatro bits aplicada a las entradas de datos se cargara en el registro seccionado. R/-W igual a 0 también deshabilita los buffers de salida que son de tres estados, de manera que las salidas de datos se encuentran en el estado de alta-z, durante una operación de escritura. La operación de escritura, desde luego, destruye la palabra que antes estaba almacenada en la dirección.
Terminales de Entrada Salida
A fin de conservar terminales en un encapsulado de CI, los fabricantes a menudo combinan los funciones de entradas y salida de datos utilizando terminales comunes de entrada/salida. La entrada R/-W controla la función de estas terminales E/S. Durante una operación de lectura, las terminales de entrada y salida actúan como salida de datos que reproducen el contenido de la localidad de dirección seleccionada. Durante una operación de escritura, las terminales de S/E actúan como entrada de datos. A las cuales se aplican los datos al ser escritos.
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